HGT1S10N120BNST

Imazhi është për referencë, ju lutemi na kontaktoni për të marrë foton reale

Pjesa e prodhuesit	HGT1S10N120BNST
Prodhuesi	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Përshkrim	IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Kategoria	produkte gjysmëpërçuese diskrete
Familja	tranzistore - igbts - single
Cikli i jetes:	New from this manufacturer.
Dorëzimi:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagesa	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fleta e të Dhënave	HGT1S10N120BNST PDF

Disponueshmëria

Instock	961 885
Çmimi Njësi	$ 2.62000

HGT1S10N120BNST Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

HGT1S10N120BNST Specifikimet

Lloji	Përshkrim
seri:	-
paketë:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statusi i pjesës:	Active
lloji igbt:	NPT
tension - prishje e emetuesit të kolektorit (maksimumi):	1200 V
rrymë - kolektor (ic) (maksimum):	35 A
rrymë - kolektor me pulsim (icm):	80 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 10A
fuqia - max:	298 W
ndërrimi i energjisë:	320µJ (on), 800µJ (off)
lloji i hyrjes:	Standard
ngarkesa e portës:	100 nC
td (ndezur/fikur) @ 25°c:	23ns/165ns
gjendja e provës:	960V, 10A, 10Ohm, 15V
koha e kundërt e rikuperimit (trr):	-
temperatura e funksionimit:	-55°C ~ 150°C (TJ)
lloji i montimit:	Surface Mount
paketë / kuti:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
paketa e pajisjes së furnizuesit:	TO-263AB

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.